SiC与GaN功率器件对比分析与合明科技功率器件模块清洗剂介绍

碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）作为第三代半导体材料的代表，正在重塑功率电子领域。它们凭借其独特的性能，在不同应用场景中与传统的硅（Si）基器件形成了互补和替代关系。下面这个表格可以让你快速把握它们的核心区别。

面临的可靠性挑战

尽管性能优异，SiC和GaN作为相对较新的技术，其可靠性仍面临特定挑战。

• SiC的挑战：核心问题集中在栅氧可靠性和体材料缺陷。

• 栅氧界面问题：SiC与栅极二氧化硅(SiO₂)的界面缺陷密度远高于硅器件，这可能导致阈值电压不稳定，尤其在高温和栅极应力下。

• 基面位错：晶体生长中产生的缺陷可能在器件运行过程中演变为堆垛层错，导致导通电阻增大和体二极管性能退化。

• GaN的挑战：主要与电荷捕获效应相关。

• 动态导通电阻退化：当器件处于关断状态承受高电压时，电子可能被捕获到缓冲层或介质层缺陷中，导致再次开通时导通电阻显著增加，即“电流崩塌”现象。这对高频开关应用是严峻考验。

• 栅极可靠性：对于增强型p-GaN栅极HEMT，在强正栅极偏压下可能发生栅极泄漏增加甚至击穿。

如何选择与应用建议

在选择和运用这两类器件时，可以参考以下思路：

1. 根据应用场景做选择

• 追求高压、大功率、高温稳定性：如电动汽车主驱、大型光伏逆变器，SiC是当前更成熟可靠的选择。

• 追求极致高频、小型化和高效率：如快充、通信电源，GaN更能发挥其优势。

• 电压在600-900V区间：两者可能重叠，需综合考虑频率、成本和对高温导通损耗的要求。

2. 系统设计是关键：宽禁带器件的高性能需要精细的系统设计来保障。

• 驱动电路：GaN器件的阈值电压较低，驱动电路需优化布局以抑制噪声引起的误开通；SiC的驱动电压也需要精细设计以确保栅氧安全。

• 寄生参数：极高的开关速度意味着对电路中的寄生电感和电容非常敏感，需要采用低寄生电感的布局和封装技术。

• 热管理：尽管器件本身耐高温，但良好的散热能显著提升系统可靠性和寿命。

 总结与未来展望

总的来说，SiC和GaN并非简单的竞争关系，而是在不同赛道上替代传统硅基器件的强大技术。SiC凭借其高压、高温优势，正成为能源基础设施和电动汽车的支柱；而GaN则利用其超高频特性，在消费电子和通信领域开疆拓土。

未来，随着材料生长、器件结构和制造工艺的不断进步，两者的可靠性将持续提升，成本也将进一步下降。同时，集成化是一个重要趋势，例如将驱动、保护和传感电路与GaN功率器件单片集成，可以简化设计并进一步提升系统可靠性

合明科技芯片封装前锡膏助焊剂清洗剂介绍：

水基清洗的工艺和设备配置选择对清洗精密器件尤其重要，一旦选定，就会作为一个长期的使用和运行方式。水基清洗剂必须满足清洗、漂洗、干燥的全工艺流程。

污染物有多种，可归纳为离子型和非离子型两大类。离子型污染物接触到环境中的湿气，通电后发生电化学迁移，形成树枝状结构体，造成低电阻通路，破坏了电路板功能。非离子型污染物可穿透PC B 的绝缘层，在PCB板表层下生长枝晶。除了离子型和非离子型污染物，还有粒状污染物，例如焊料球、焊料槽内的浮点、灰尘、尘埃等，这些污染物会导致焊点质量降低、焊接时焊点拉尖、产生气孔、短路等等多种不良现象。

这么多污染物，到底哪些才是最备受关注的呢？助焊剂或锡膏普遍应用于回流焊和波峰焊工艺中，它们主要由溶剂、润湿剂、树脂、缓蚀剂和活化剂等多种成分，焊后必然存在热改性生成物，这些物质在所有污染物中的占据主导，从产品失效情况来而言，焊后残余物是影响产品质量最主要的影响因素，离子型残留物易引起电迁移使绝缘电阻下降，松香树脂残留物易吸附灰尘或杂质引发接触电阻增大，严重者导致开路失效，因此焊后必须进行严格的清洗，才能保障电路板的质量。

合明科技研发的水基清洗剂配合合适的清洗工艺能为芯片封装前提供洁净的界面条件。

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主营产品包括：集成电路与先进封装清洗材料、电子焊接助焊剂、电子环保清洗设备、电子辅料等。

半导体技术应用节点：FlipChip ;2D/2.5D/3D堆叠集成;COB绑定前清洗；晶圆级封装；高密度SIP焊后清洗；功率电子清洗。